ФТП, 2007, том 41, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

К вопросу о происхождении полосы 1 эВ в фотолюминесценции Cd1-xZnxTe

В.Е.Седов\kern1pt, О.А.Матвеев, А.И.Терентьев, Н.К.Зеленина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 31 января 2007 г. Принята к печати 14 февраля 2007 г.)

Исследована фотолюминесценция при 77 K образцов Cd1-xZnxTe (x=0, 0.005 и 0.01), отожженных при 900oC и давлениях паров кадмия PCd=3·104-2·105 Па. Обнаружено, что доля полосы 1 эВ в интегральной по спектру фотолюминесценции этих образцов не зависит от PCd в отличие от образцов Cd0.95Zn0.05Te, в которых она с ростом PCd увеличивается до ~90%. Полоса не сдвигается в коротковолновую область с ростом x. Подтверждено сделанное заключение о том, что в формировании свойств Cd1-xZnxTe играют роль вакансии Zn. Сделан вывод о том, что полоса 1 эВ вызывается захватом свободных дырок на акцепторные уровни как вакансии кадмия, так и вакансии цинка. Эти уровни близки друг к другу, поэтому их трудно различить.

PACS: 61.72.Ji; 71.55.Gs; 72.40.w; 78.55.Et

 PDF версия (126Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster