ФТП, 2007, том 41, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние низкотемпературного отжига на характеристики SiC-детекторов с введенными радиационными дефектами

А.М.Иванов, Н.Б.Строкан, А.В.Садохин, А.А.Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 26 декабря 2006 г. Принята к печати 15 января 2007 г.)

Исследовались p+-n-n+-структуры детекторов, изготовленных на основе CVD-пленок с содержанием нескомпенсированных доноров 2· 1014 см-3. P+-область создавалась имплантацией ионов Al. Предварительно детекторы были облучены протонами с энергией 8 МэВ и дозой 3· 1014 см-2. Отжиг проводился при температуре 600oC в течение 1 ч.

В измерениях, выполненных в интервале температур 20-150oC, сопоставлялись режимы прямого и обратного смещений. Показано, что отжиг способствует более полному переносу носителей заряда, созданных ядерных излучением, а также снижению заряда, накопленного ловушками при тестировании. Несмотря на положительное воздействие отжига, сохраняется значительное количество радиационных дефектов, проявляющихся, в частности, в кинетике прямого тока.

PACS: 85.60.Gz

 PDF версия (250Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster