ФТП, 2007, том 41, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние облучения на свойства SiC и приборы на его основе
О б з о р

Е.В.Калинина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получен 16 октября 2006 г. Принят к печати 30 октября 2006 г.)

Рассматриваются вопросы радиационного дефектообразования в карбиде кремния различных политипов, типов проводимости и концентраций носителей заряда при облучении высокоэнергетичными частицами в широком интервале их энергий и масс --- от электронов до тяжелых ионов Bi. Также рассматривается влияние облучения высокоэнергетичными частицами на оптические и электрические характеристики приборов на основе SiC, в том числе детекторов ядерных излучений. Показаны общие с другими полупроводниками и характерные для SiC закономерности радиационного дефектообразования в SiC. Подтверждена высокая радиационная устойчивость SiC и показана возможность повышения его радиационного ресурса при повышенных энергиях облучающих частиц и рабочих температурах.

PACS: 61.72.Hh, 61.80.-x, 68.55.Ln, 71.55.Ht, 81.40.Wx

 PDF версия (1.6Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster