ФТП, 2007, том 41, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

К теории стационарных плоских волн ударной ионизации в полупроводниках

А.С.Кюрегян

Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина,
111250 Москва, Россия

(Получена 15 августа 2006 г. Принята к печати 13 ноября 2006 г.)

Построена общая аналитическая теория стационарных плоских волн ударной ионизации в полупроводниковых приборах при произвольных зависимостях скоростей дрейфа и коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок от напряженности электрического поля. Получены формулы, описывающие структуру фронта волн и позволяющие вычислить его основные параметры --- скорость, толщину, максимальную напряженность поля, концентрации носителей заряда и напряженность поля за фронтом --- при заданных плотности тока и уровне легирования полупроводника. Указаны ограничения теории, обусловленные пренебрежением диффузионными потоками и использованием континуального приближения.

PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 85.30.De, 85.30.Mn, 85.30.Kk

 PDF версия (258Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster