ФТП, 2007, том 41, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии

В.М.Лантратов\kern1pt, Н.А.Калюжный, С.А.Минтаиров, Н.Х.Тимошина, М.З.Шварц, В.М.Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 30 октября 2006 г. Принята к печати 7 ноября 2006 г.)

Методом МОС-гидридной эпитаксии проведены исследования по созданию монолитных двухпереходных солнечных элементов GaInP/GaAs. Определены и оптимизированы условия роста изопериодических с GaAs тройных твердых растворов GaxIn1-xP и AlxIn1-xP. Разработана технология создания туннельного диода с высоким пиковым током 207 А/см2 на основе сильно легированных слоев n++-GaAs : Si и p++-AlGaAs : C. Полученные в результате исследований каскадные солнечные элементы GaInP/GaAs имели хорошую эффективность преобразования солнечной энергии как для космических, так и для наземных применений. Максимальное значение кпд составило 30.03% (AM1.5D, 40 солнц).

PACS: 84.60.Jt, 81.15.Gh

 PDF версия (415Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster