ФТП, 2007, том 41, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Дискретная модель развития и релаксации локального микропробоя в кремниевых лавинных фотодиодах в режиме Гейгера

И.В.Ванюшин\kern1pt*, В.А.Гергель, В.М.Гонтарь\kern1pt*, В.А.Зимогляд\kern1pt*, Ю.И.Тишин\kern1pt*,
В.А.Холоднов\kern1pt, И.М.Щелева\kern1pt

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
125009 Москва, Россия
* ООО \glqq Юник Ай Сиз\grqq,
124482 Зеленоград, Москва, Россия

(Получена 20 июля 2006 г. Принята к печати 27 октября 2006 г.)

Построена новая дискретная теоретическая модель развития и релаксации локального микропробоя в гейгеровском режиме работы кремниевых лавинных фотодиодов. Показано существенное влияние сопротивления растекания в подложке на амплитуду однофотонного импульса и возможность реализации стационарного характера лавинного пробоя, исключающего гейгеровский режим работы фотодиода. Модель использована для интерпретации экспериментальных результатов, полученных на тестовых однофотонных ячейках лавинных фотодиодов, изготовленных на основе кремниевой технологии 0.25 мкм с использованием глубинной имплантации для формирования области лавинного размножения носителей. Отмечены высокие функциональные свойства исследованного типа однофотонной (гейгеровской) ячейки. Приведена типичная амплитудная характеристика ячейки для оптического излучения с длиной волны lambda=0.56 мкм в диапазоне освещенностей 10-3-102 лк, свидетельствующая об экстремально высокой квантовой эффективности фотопреобразования.

PACS: 73.40.Lq, 85.30.Mn, 85.60.Dw

 PDF версия (238Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster