ФТП, 2007, том 41, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Структурные и электрические свойства гетеропереходов GexSi1-x/Si, полученных методом прямого сращивания

Т.С.Аргунова *,+, Е.И.Белякова *, И.В.Грехов *, А.Г.Забродский *, Л.С.Костина *, Л.М.Сорокин *,
Н.М.Шмидт *, J.M.Yi +, J.W.Jung +, J.H.Je +, Н.В.Абросимов o,\wedge,

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology,
790-784 Pohang, Republic of Korea
o Institute of Crystal Growth,
12489 Berlin, Germany
\wedge Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 3 октября 2006 г. Принята к печати 17 октября 2006 г.)

Приведены результаты исследования структурных и электрических свойств композиций, изготовленных методом прямого сращивания пластин GexSi1-x и Si. Пластины были вырезаны из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Непрерывность интерфейса и дефекты кристаллической решетки исследованы рентгеновскими методами с использованием синхротронного излучения и сканирующей электронной микроскопией. Измерение прямых и обратных вольт-амперных характеристик диодов p-GexSi1-x/n-Si позволило оценить влияние дефектов кристаллической структуры на электрические свойства гетеропереходов. Удовлетворительные электрические параметры позволяют сделать вывод о том, что технология прямого сращивания перспективна для изготовления гетеропереходов GexSi1-x/Si большой площади.

PACS: 73.40.Lq, 61.72.Lk, 61.72.Ff

 PDF версия (265Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster