ФТП, 2007, том 41, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О влиянии сужения запрещенной зоны на поверхностные рекомбинационные процессы в кремнии

А.В.Саченко , И.О.Соколовский

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 13 сентября 2006 г. Принята к печати 2 октября 2006 г.)

Учтено влияние эффекта сужения зон на величины эффективных скоростей поверхностной рекомбинации в кремнии. Показано, что эффект сужения зон приводит к увеличению эффективной скорости поверхностной рекомбинации в случае, когда концентрация носителей заряда на поверхности больше, чем в объеме, и к ее уменьшению в противоположном случае. Рассчитано влияние эффекта сужения зон на напряжение разомкнутой цепи в кремниевых солнечных элементах с учетом изменения вклада поверхностной рекомбинации.

PACS: 71.20.Mq, 71.55.Cn, 72.20.Jv, 73.50.Gr, 73.50.Pz, 84.60.Jt

 PDF версия (190Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster