ФТП, 2007, том 41, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Проявление в электронном парамагнитном резонансе эффекта кластеризации атомов Ge в сплавах Si1-xGex (0)

А.И.Вейнгер, А.Г.Забродский, Т.В.Тиснек, С.И.Голощапов, Н.В.Абросимов*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Institute for Crystal Growth,
12489 Berlin, Germany

(Получена 7 ноября 2006 г. Принята к печати 21 ноября 2006 г.)

Исследован электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) на примеси фосфора в сплавах Si1-xGex при 0 и температурах от 3 до 30 K при концентрациях фосфора в диапазоне 1015-1016 см-3. Спектры электронного парамагнитного резонанса сравнивались со спектрами аналогичных образцов кремния. Обнаружено, что начиная с самых малых x=0.008 спектры электронного парамагнитного резонанса сплавов содержат две дополнительные линии. Предполагается, что они связаны с примесями фосфора, расположенного в кластерах с повышенным содержанием Ge. При этом оказывается, что вплоть до x=0.024 увеличение его содержания приводит лишь к росту концентрации кластеров. При x>=0.024 начинается рост концентрации Ge как внутри, так и вне кластеров.

PACS: 71.20.Nr, 76.30.Da

 PDF версия (197Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster