ФТП, 2007, том 41, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О пороговых напряжениях при движении дислокаций в примесных полупроводниках

Б.В.Петухов\kern1pt

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук,
119333 Москва, Россия

(Получена 3 октября 2006 г. Принята к печати 7 ноября 2006 г.)

Показано, что учет статистических флуктуаций в распределении адсорбированных на дислокациях примесей приводит к наличию порога в подвижности дислокаций, величина которого sigmath зависит от температуры и взаимодействия между примесями. В области низких температур sigmath может заметно превышать величину напряжения пиннинга sigmapin, определяемого средней концентрацией адсорбированных примесей. Результаты расчета могут быть использованы также при описании кинетики одномерных систем другой физической природы.

PACS: 61.72.Lk, 61.72.Yx

 PDF версия (173Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster