ФТП, 2007, том 41, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Evolution of luminescence properties of natural oxide on silicon and porous silicon

R.V.Sokolov, M.V.Zamoryanskaya\kern1pt, E.V.Kolesnikova, V.I.Sokolov

Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences,
194021 St. Petersburg, Russia

(Получена 16 октября 2006 г. Принята к печати 30 октября 2006 г.)

The main aim of this study is to research the features of luminescence properties of natural silicon oxide layers formed on the polished silicon surface, structural silicon surface and porous silicon films. Luminescence was excited by high energy electron beams --- the local cathodoluminescence method. Cathodoluminescence of the samples was studied in 3, 24 and 48 days after preparation.

PACS: 78.60.Hk, 78.66.Db

 PDF версия (263Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster