ФТП, 2007, том 41, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Cathodoluminescence and TEM studies of HVPE GaN layers grown
on porous SiC substrates

E.Kolesnikova, M.Mynbaeva, A.Sitnikova

Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences,
194021 St. Petersburg, Russia

(Получена 12 сентября 2006 г. Принята к печати 3 октября 2006 г.)

Plain-view-field transmission electron microscopy and cathodoluminescence are used to study the defect structure of GaN films grown by hydride vapour-phase epitaxy on porous and non-porous SiC substrates. It is shown that the use of porous substrate reduces the mosaic structure of the films. This finding supports the compliance of porous SiC substrates, which was proposed by the authors earlier.

PACS: 61.43.Gt, 61.72.Ff, 68.37.Lp, 68.55.Jk, 78.60.Hk

 PDF версия (206Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster