ФТП, 2007, том 41, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Увеличение подвижности электронов в инверсионном канале Si-МОП-транзистора при ионной поляризации подзатворного окисла

Ю.В.Гуляев, А.Г.Ждан, Г.В.Чучева

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141190 Фрязино, Россия

(Получена 24 августа 2006 г. Принята к печати 4 сентября 2006 г.)

Эффективная подвижность электронов mu* в инверсионном n-канале полевого транзистора значительно возрастает после объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла от типичных значений =~820 до величин =~ 2645 cм2B-1c-1, превышающих подвижность электронов в массивном Si. После поляризации слоевая плотность ионов Na+ у гетерограницы SiO2/Si превышает 6· 1013 см-2. Ионы практически полностью нейтрализованы электронами канала инверсии. С уменьшением температуры T в диапазоне 293-203 K mu* увеличивается по закону mu* прапорционально T-0.82. Наблюдаемая зависимость mu*(T), по-видимому, обусловлена комбинированным рассеянием электронов на шероховатостях поверхности раздела Si/SiO2, на фононах и на пограничных состояниях. Деполяризация окисла возвращает mu* к исходной величине. Аномально высокие значения mu* считаются либо следствием возникновения в поверхностном слое Si из-за поляризации окисла сильных структурных напряжений, либо результатом фазовой перестройки области инверсионного канала вследствие гибридизации волновых функций электронов, локализованных на ионах Na+, с волновыми функциями электронов канала инверсии.

PACS: 85.30.Pq, 73.63.-b

 PDF версия (168Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster