ФТП, 2007, том 41, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Структура и электрофизические свойства поликристаллических пленок SiGe, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения

И.Б.Чистохин, А.К.Гутаковский, А.С.Дерябин

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 14 августа 2006 г. Принята к печати 28 августа 2006 г.)

Изучены структурные и электрофизические свойства поликристаллических пленок Si0.5Ge0.5 толщиной 150 нм, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения при температурах 200-550oC на подложках кремния, покрытых аморфными слоями оксинитрида кремния. Установлено, что пленки представляют собой смесь аморфной и поликристаллической фаз. Доля аморфной фазы уменьшается от ~50% в пленках, осажденных при 200oC, до нуля в пленках, выращенных при 550oC. Последующий отжиг при температуре 550oC в течение 1 ч приводит к полной твердофазной кристаллизации всех пленок. Электронный транспорт носителей заряда в поликристаллических пленках реализуется по термоактивационному механизму, связанному с энергетическим барьером ~0.2 эВ на межзеренных границах. Понижение барьера при дополнительном отжиге пленок SiGe коррелирует с увеличением среднего размера зерен.

PACS: 61.72.Mm, 72.80.Ng, 73.61.Le

 PDF версия (228Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster