| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Резонансная модуляция магнитным полем межподзонного электрон-электронного взаимодействия в квантовой яме AlSb(-Te)/InAs/AlSb(-Te)
В.И.Кадушкин, Ю.Г.Садофьев, J.P.Bird, S.R.Johnson, Y.-H.Zhang
Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина,
390000 Рязань, Россия
Department of Electrical Engineering and Center of Solid State Electronic Research,
Arizona State University, Tempe, AZ85287, USA
(Получена 22 ноября 2005 г. Принята к печати 12 сентября 2006 г.)
|
Изучена амплитудно-частотная модуляция осцилляций магнитосопротивления 2D электронов в квантовой яме AlSb(-Te)/InAs/AlSb(-Te). На магнитополевой зависимости амплитуды осцилляций обнаружены участки отрицательной температуры Дингла. Аномалии на вызваны резонансным включением квантующим магнитным полем межподзонного электрон-электронного взаимодействия 2D электронов основной и возбужденной подзон размерного квантования. Выполнены оценки величин резонансных полей и времени столкновительного уширения уровней Ландау. Установлен концентрационный порог заполнения возбужденной подзоны размерного квантования см. PACS: 72.20.My, 73.40.Kp, 73.63.Hs |
| PDF версия (287Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster |