ФТП, 2007, том 41, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон,
уровни квантования, волновые функции

В.И.Зубков

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет << ЛЭТИ>>,
197376 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 4 сентября 2006 г. Принята к печати 11 сентября 2006 г.)

В диапазоне составов псевдоморфного роста гетероструктур с квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs (0) методом вольт-фарадного профилирования и самосогласованного расчета уравнений Шредингера и Пуассона прецизионно определены абсолютные величины разрывов зоны проводимости, уровни энергии размерного квантования, концентрации носителей заряда в подзонах квантования. Развит метод емкостной диагностики квантово-размерных гетероструктур для определения их основных электронных свойств.

PACS: 68.65.Fg, 73.21.Fg, 73.40.Cg, 81.07.St

 PDF версия (232Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster