ФТП, 2007, том 41, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние буферного слоя собственного окисла селенида галлия нанометровых размеров на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетероструктур ITO-GaSe

С.И.Драпак\kern1pt, З.Д.Ковалюк

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича
Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение,
58001 Черновцы, Украина

(Получена 24 августа 2006 г. Принята к печати 4 сентября 2006 г.)

Исследовано влияние толщины буферного слоя собственного оксида селенида галлия на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетеропереходов ITO--GaSe. Установлено, что введение слоя Ga2O3 толщиной до 5-6 нм в гетеропереход ITO--GaSe приводит к изменению механизмов токопрохождения в структуре, увеличению напряжения холостого хода Voc более чем в 2 раза (при этом реализуется ситуация, когда Voc значительно превышает величину контактной разности потенциалов), возрастанию интенсивности электролюминесценции более чем на порядок, а также к увеличению кпд фотопреобразования более чем в 2 раза по сравнению с образцами, в которых слой Ga2O3 специально не выращивался.

PACS: 74.40.Lq, 72.40.+w, 78.60.Fi

 PDF версия (289Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster