ФТП, 2007, том 41, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN

В.И.Гавриленко\kern1pt+, Е.В.Демидов\kern1pt+, К.В.Маремьянин\kern1pt+, С.В.Морозов\kern1pt+,
W.Knap\kern1pt*, J.Lusakowski\kern1pt*

+ Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Group d'Etude de Semiconducteurs, CNRS --- Universite Montpellier 2
Place E. Bataillon 34950 Montpellier, France

(Получена 27 июня 2006 г. Принята к печати 4 июля 2006 г.)

Исследованы электронный транспорт и фотоотклик в терагерцовом диапазоне в полевом транзисторе GaN/AlGaN с субмикрометровым затвором (0.25 мкм) с двумерным электронным газом в канале (концентрация электронов ns~ 5·1012 см-2) при 4.2 K. Подвижность носителей заряда в канале транзистора определялась по зависимости проводимости от магнитного поля и составила mu~3500 см2/В·с. Обнаружено, что зависимость фотоэдс на частоте излучения f=574 ГГц от напряжения на затворе (т. е. от концентрации двумерных электронов) имеет характерный максимум, что связывается с резонансным откликом в подзатворной плазме транзистора.

PACS: 61.82.Fk, 68.65.Fg, 71.10.Ca

 PDF версия (179Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster