ФТП, 2007, том 41, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Последовательный механизм транспорта электронов в резонансно-туннельном диоде с толстыми барьерами

Н.В.Алкеев\kern1pt, С.В.Аверин, А.А.Дорофеев\kern1pt*, P.Velling\kern1pt+, E.Khorenko\kern1pt+, W.Prost\kern1pt+, F.J.Tegude\kern1pt+

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141190 Фрязино, Россия
* ГУП НПП \glqq Пульсар\grqq, Москва, Россия
+ Solid State Electronics Department, Gerhard-Mercator-University,
47057 Duisburg, Germany

(Получена 6 июня 2006 г. Принята к печати 15 июня 2006 г.)

Анализ частотной зависимости импенданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs с шириной ямы 5 нм и барьерами толщиной 5 нм в диапазоне частот 0.1-50 ГГц показал, что механизм транспорта в таком диоде в основном последовательный, а не когерентный, что совпадает с проведенными оценками. Обсуждается возможность определения долей когерентного и последовательного механизма транспорта электронов через резонансно-туннельный диод по частотной зависимости его импенданса.

PACS: 73.40.Gk, 85.30.Mn

 PDF версия (154Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster