ФТП, 2007, том 41, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Кремниевый фотодиод с сетчатым p-n-переходом

В.И.Блынский\kern1pt, Ю.Г.Василевский, С.А.Малышев, А.Л.Чиж

Институт электроники Национальной академии наук Беларуси,
220090 Минск, Республика Беларусь

(Получена 5 мая 2006 г. Принята к печати 15 июня 2006 г.)

Исследованы кремниевые фотодиоды, p-область которых имеет сетчатую структуру. Получены аналитические выражения для емкости таких фотодиодов. Проведен анализ влияния размеров ячейки и диффузионной длины неосновных носителей заряда на чувствительность кремниевого сетчатого фотодиода в спектральном диапазоне 0.6-1.0 мкм. Приведены экспериментальные характеристики фотодиодов с сетчатым p-n-переходом с размерами ячеек 50 и 110 мкм. Обсуждены факторы, определяющие особенности их спектральной характеристики.

PACS: 85.60.Dw, 72.40.+w, 73.50.Pz.

 PDF версия (178Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster