ФТП, 2007, том 41, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Управление временем жизни носителей заряда в высоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs

Ф.Ю.Солдатенков, В.Г.Данильченко, В.И.Корольков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 11 мая 2006 г. Принята к печати 19 мая 2006 г.)

На примере гетероструктур InGaAs/GaAs изучена возможность управления эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда посредством контролируемого рассогласования по параметру решетки сопрягаемых материалов гетероструктуры. Установлена связь между соотношением толщины и состава слабо легированных слоев твердого раствора InGaAs и временем жизни неравновесных носителей заряда, что позволяет управлять временем жизни неравновесных носителей заряда в пределах от единиц наносекунд до микросекунды без существенного изменения концентрации подвижных носителей заряда. На основе проведенных исследований изготовлены импульсные p+-p0-pi-n0-n+-диоды, блокирующие напряжения до 500 В, коммутирующие токи >~= 10 A при временах переключения, не превышающих 10 нс.

PACS: 68.55.Ln, 73.40.Kp, 73.50.Gr, 81.15.Gh, 85.30.De, 85.30.Kk

 PDF версия (181Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster