ФТП, 2007, том 41, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы рекомбинации неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe (x=0.20-0.23)

Д.Г.Икусов *, Ф.Ф.Сизов, С.В.Старый , В.В.Тетеркин

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03025 Киев, Украина
* Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 3 февраля 2006 г. Принята к печати 7 апреля 2006 г.)

На основании измерений температурных зависимостей фоточувствительности и времени жизни неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe с x=0.20-0.23 показано, что в пленках n-типа проводимости, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в области собственной и примесной проводимости доминирует оже-рекомбинация типа CHCC. В то же время в пленках p-типа, выращенных методами жидкофазной и парoфазной эпитаксии, в области примесной проводимости наблюдается конкуренция оже-рекомбинации CHLH и рекомбинации Шокли--Рида. Пленки n-типа, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, имеют гораздо меньшую концентрацию рекомбинационных центров по сравнению с пленками p-типа, выращенными методами жидкофазной и парoфазной эпитаксии.

PACS: 72.40.+w, 73.50.Cr

 PDF версия (180Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster