ФТП, 2007, том 41, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Возможности использования твердого раствора Cd0.8Hg0.2Te в солнечных элементах

Л.А.Косяченко\kern1pt, В.В.Кульчинский, С.Ю.Паранчич, В.М.Склярчук

Черновицкий национальный университет,
58012 Черновцы, Украина

(Получена 30 марта 2006 г. Принята к печати 19 апреля 2006 г.)

Исследованы фоточувствительные в области 0.3-1.1 мкм поверхностно-барьерные диоды на основе CdxHg1-xTe (x~ 0.8), полученные травлением (бомбардировкой) поверхности кристалла p-типа проводимости ионами аргона. С использованием измеренных спектральных кривых поглощения и отражения, а также параметров диодной структуры, найденных из электрических характеристик, рассчитаны спектры фотоэлектрической квантовой эффективности диодов. Приведены результаты расчетов фотоэлектрических параметров диодов на основе Cd0.8Hg0.2Te в сравнении с солнечными элементами на основе CdTe и Si. Для условий солнечного облучения AM1.5 найдены напряжение холостого хода и ток короткого замыкания, а также предельные значения коэффициента полезного действия.

PACS: 73.30.+y, 78.66.Hf, 84.60.Jt

 PDF версия (376Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster