ФТП, 2007, том 41, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Квантовая эффективность и формирование линии излучения в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN

Н.И.Бочкарева , Д.В.Тархин, Ю.Т.Ребане, Р.И.Горбунов, Ю.С.Леликов, И.А.Мартынов, Ю.Г.Шретер

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 30 мая 2006 г. Принята к печати 19 июня 2006 г.)

Исследованы спектры электролюминесценции, фотолюминесценции и фототока в структурах с квантовыми ямами In0.2Ga0.8N/GaN с целью выяснения причин падения квантовой эффективности с увеличением прямого тока. Установлено, что квантовая эффективность падает, когда энергия излучаемого фотона приближается к порогу подвижности в слое In0.2Ga0.8N. Порог подвижности, определенный из спектров фототока, составил Eme=2.89 эВ. При энергиях hnu>2.69 эВ носители заряда имеют вероятность туннелировать на безызлучательные центры рекомбинации, поэтому время жизни и квантовая эффективность падают. Туннельная инжекция в глубокие локализованные состояния обеспечивает максимальную эффективность электролюминесценции, что объясняет причину характерного максимума эффективности светодиодов при плотностях тока, значительно меньших, чем рабочие. Заселение глубоких локализованных состояний в \glqq хвостах\grqq плотности состояний InGaN играет также доминирующую роль в формировании линии излучения. Обнаружено, что рост эффективности и \glqq красный\grqq сдвиг спектра ФЛ с напряжением коррелирует с изменением фототока и связаны с уменьшением разделения фотоносителей в поле области объемного заряда и их термализацией в глубокие локализованные состояния.

PACS: 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.55.Cr, 78.60.Fi, 78.67.De, 85.60.Jb

 PDF версия (198Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster