ФТП, 2007, том 41, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Латеральное упорядочение квантовых точек и нитей в многослойных структурах (In,Ga)As/GaAs (100)

В.В.Стрельчук\kern1pt, П.М.Литвин, А.Ф.Коломыс, М.Я.Валах, Yu.I.Mazur\kern1pt+, Zh.M.Wang\kern1pt+, G.J.Salamo\kern1pt+

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
+ Department of Physics, University of Arkansas,
Fayetteville, Arkansas, 72701

(Получена 3 апреля 2006 г. Принята к печати 7 апреля 2006 г.)

Исследованы морфология поверхности и оптические свойства многослойных структур (In,Ga)As/GaAs (100) с самоорганизованными квантовыми точками и квантовыми нитями, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что упорядоченное расположение квантовых точек в плоскости гетерограницы начинает формироваться при выращивании первых периодов многослойной структуры. При увеличении количества периодов наблюдается выстраивание квантовых точек в ряды и формирование нитей вдоль направления [0 1 1]. Повышение латеральной упорядоченности рассматриваемых структур коррелирует с увеличением оптической анизотропии излучения, обусловленной анизотропией релаксации упругих деформаций и формой нанообъектов. Обсуждается возможный механизм латерального упорядочения квантовых точек и нитей в многослойных структурах, включающий как эффекты анизотропии полей деформаций и диффузии адатомов, так и упругое взаимодействие соседних квантовых точек.

PACS: 68.65.Hb, 68.65.La, 78.67.Hc, 78.67.Lt, 78.55.Cr

 PDF версия (492Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster