ФТП, 2007, том 41, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектрические свойства структур In/In2Se3

Г.А.Ильчук +, В.В.Кусьнэж +, Р.Ю.Петрусь +, В.Ю.Рудь *, Ю.В.Рудь, В.О.Украинец +

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Национальный университет \glqq Львивська политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 апреля 2006 г. Принята к печати 10 мая 2006 г.)

Методом направленной кристаллизации расплава, близкого по составу к стехиометрическому, а также парофазным методом выращены кристаллы In2Se3 гексагональной модификации, и впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2Se3, фоточувствительные в широкой области энергий падающих фотонов 1-3.8 эВ при 300 K. Изучен характер межзонного фотоактивного поглощения, оценены высота энергетического барьера и энергии межзонных оптических переходов. Сделан вывод о возможностях применения выращенных кристаллов в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения.

PACS: 71.20.Nr, 73.40.Ns, 73.50.Pz

 PDF версия (155Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster