ФТП, 2007, том 41, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением

И.В.Боднарь\kern1pt+, В.А.Полубок\kern1pt+, В.Ф.Гременок\kern1pt*, В.Ю.Рудь\kern1pt$, Ю.В.Рудь\kern1pt

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Белоруссия
* Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии,
220072 Минск, Белоруссия
$ Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 22 марта 2006 г. Принята к печати 28 апреля 2006 г.)

Методом импульсного лазерного испарения исходных мишеней с последующим осаждением на стеклянные подложки при температурах 480-720 K выращены гомогенные тонкие (0.6-1.5 мкм) пленки n-In2S3, на которых впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2S3. Изучена температурная зависимость удельного сопротивления пленок n-типа проводимости и определена энергия активации донорных центров в них. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования eta(homega) полученных барьеров. Из анализа спектральных зависимостей eta(homega) сделан вывод о характере межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны в пленках In2S3. Сделан вывод о возможностях применения тонких пленок In2S3 в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения.

PACS: 78.20.-e

 PDF версия (268Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster