ФТП, 2007, том 41, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu(Al, In)/p-CuIn3Se5

И.В.Боднарь\kern1pt, В.Ю.Рудь\kern1pt*, Ю.В.Рудь\kern1pt+

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220031 Минск, Белоруссия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 5 апреля 2006 г. Принята к печати 17 апреля 2006 г.)

На кристаллах p-CuIn3Se5 созданы структуры и исследованы фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu/p-CuIn3Se5, Al/p-CuIn3Se5 и In/p-CuIn3Se5. Получены первые спектры квантовой эффективности фотопреобразования новых структур. Обсуждается характер межзонных переходов и определена ширина запрещенной зоны CuIn3Se5. Сделан вывод о возможностях применения кристаллов CuIn3Se5 при создании высокоэффективных широкополосных фотопреобразователей оптического излучения.

PACS: 73.30.+y, 73.50.Pz, 84.60.Jt

 PDF версия (174Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster