-1 Исследуются вольт-фарадные характеристики структуры In$-$SiO$$₂-<варизонный слой Cd$$_0.71-0.27Hg$$_0.29-0.73Te$>-p$-Cd$$_0.27Hg$$_0.73Te$-$GaAs при температуре 80 K и выше. Характеристики имеют гистерезис: при прямом ходе развертки (от обогащения к инверсии) характеристика близка к обычной высокочастотной, а при обратном ходе имеется протяженная полка, на которой емкость области пространственного заряда примерно в 2 раза больше. Для объяснения хода вольт-фарадной характеристики рассматривается эффект частичной экранировки варизонной части области пространственного заряда от электрического поля тестирующего сигнала, а также эффект формирования потенциальной ямы для электронов у поверхности за счет перезарядки донорных уровней.

PACS: 73.40.Cg, 73.40.Lq