ФТП, 2007, том 41, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сжатие токопроводящей области в собственном полупроводнике, вызванное джоулевым саморазогревом

Ф.Н.Рыбаков, А.В.Мелких\kern1pt, А.А.Повзнер

Уральский государственный технический университет (УПИ),
620002 Екатеринбург, Россия

(Получена 11 апреля 2006 г. Принята к печати 21 апреля 2006 г.)

Построена модель распределения плотности тока и температуры в полупроводниковом образце. Показано, что профиль температуры в образце может иметь точку перегиба, разделяющую \glqq гoрячую\grqq и \glqq холодную\grqq области. Положение точки перегиба определяется величиной тока: чем больше ток через образец, тем точка перегиба ближе к центру образца.

PACS: 72.20.Fr, 72.20.Ht

 PDF версия (116Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster