ФТП, 2006, том 40, выпуск 11: page 1361...

ФТП, 2006, том 40, выпуск 11

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Фотоэмиссия поляризованных электронов
из InAlGaAs $-$ GaAs-сверхрешеток с минимальными
разрывами зоны проводимости

Л.Г.Герчиков^\kern1pt, Ю.А.Мамаев, А.В.Субашиев, Ю.П.Яшин, Д.А.Васильев, В.В.Кузьмичев,
А.Е.Жуков^\kern1pt*, Е.С.Семенова^\kern1pt*, А.П.Васильев^\kern1pt*, В.М.Устинов^\kern1pt*

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
^* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 21 февраля 2006 г. Принята к печати 3 марта 2006 г.)

Изучена фотоэмиссия поляризованных электронов из гетероструктур на основе InAlGaAs

-

GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами края зоны проводимости. Сравнение зависимости степени поляризации фотоэмиссии от энергии возбуждения с расчетными спектрами позволило определить вклад в потери поляризации на отдельных этапах фотоэмиссии. Максимальные значения поляризации

P=91

% при квантовом выходе 0.14% близки к лучшим результатам, полученным для фотокатодов на основе напряженных полупроводниковых сверхрешеток.

PACS: 68.65.Cd, 72.25.Fe, 72.25.Rb, 72.25.Dc, 78.67.Pt, 79.60.Jv

PDF версия (349Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster