ФТП, 2006, том 40, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Определение состава и механических деформаций в GexSi(1-x)-гетероструктурах из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света: уточнение параметров модели

В.А.Володин\kern1pt, М.Д.Ефремов, А.С.Дерябин, Л.В.Соколов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 3 февраля 2006 г. Принята к печати 17 марта 2006 г.)

Метод спектроскопии комбинационного рассеяния света использовался для контроля состава и деформаций пленок твердых растворов GexSi1-x с 0.17=<q x=<q 1.0. Состав и деформации в пленках были определены также из данных дифракции рентгеновских лучей. В спектрах комбинационного рассеяния анализировалось не только положение, но и интенсивность пиков рассеяния на колебаниях Ge-Ge-, Ge-Si- и Si-Si-связей. Это позволило существенно уточнить некоторые параметры модели для расчета состава и деформаций в гетероструктурах GexSi1-x/Si(100) из данных спектроскопии комбинационного рассеяния.

PACS: 63.22.+m, 81.15.Hi, 78.30.Am

 PDF версия (388Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster