ФТП, 2006, том 40, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Инфракрасная спектроскопия кремниевых сращенных пластин

А.Г.Милехин, C.Himcinschi +, M.Friedrich *, K.Hiller \wedge, M.Wiemer \wedge, T.Gessner \wedge, S.Schulze *, D.R.T.Zahn *

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
+ Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik,
D-06120 Halle, Germany
* Institut fur Physik, Technische Universitat Chemnitz,
D-09107 Chemnitz, Germany
\wedge Zentrum fur Mikrotechnologien, Technische Universitat,
D-09107 Chemnitz, Germany

(Получена 13 февраля 2006 г. Принята к печати 27 февраля 2006 г.)

Изучены инфракрасные спектры многократного нарушенного полного внутреннего отражения и пропускания кремниевых пластин, полученных методом прямого сращивания (бондинга) в широком диапазоне температур (200-1100oC). Исследованы свойства \glqq захороненного\grqq на границе раздела слоя окисла кремния в зависимости от температуры отжига. Показано, что толщина слоя SiO2 растет с увеличением температуры отжига с 4.5 до 6.0 нм. Анализ частот оптических фононов показал, что с ростом температуры отжига происходит релаксация механических напряжений в слое SiO2. Исследовано изменение характера химических связей на границе раздела кремниевых пластин, сращенных при низкой температуре (20-400oC), в зависимости от химической обработки поверхности пластин перед бондингом. Предложены модели процесса низкотемпературного бондинга после различной химической активации поверхности.

PACS: 81.20.Vj, 81.65.Cf, 78.30.Am

 PDF версия (511Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster