ФТП, 2006, том 40, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Экситоны и поляритоны в полупроводниковых твердых растворах AlGaAs

Р.П.Сейсян\kern1pt, В.А.Кособукин, М.С.Маркосов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 28 декабря 2005 г. Принята к печати 5 апреля 2006 г.)

Для полупроводниковых твердых растворов AlxGa1-xAs с x=0.15 и 0.21 при температурах T=1.7-380 K измерялись спектр края поглощения и температурная зависимость интегрального коэффициента поглощения света. Результаты обсуждаются на основе двух моделей экситон-поляритонного переноса энергии возбуждения, которые в системах со случайным экситонным потенциалом могут привести к непостоянству интегрального поглощения при низких температурах. В одном случае температурная аномалия в поглощении рассматривается как результат конкуренции экситонного и электромагнитного переноса в квазиоднородной среде (виртуальном кристалле) с пространственной дисперсией. В другом случае эффект связан с переизлучением резонансных локализованных экситонов вдоль конечных цепочек квантовых ям в отсутствие экситонного переноса. На основании наблюдений характерной температурной зависимости интегрального поглощения сделан вывод о существовании экситонных поляритонов в исследованных твердых растворах. Для твердого раствора Al0.15Ga0.85As найдена критическая температура Tc=155 K, выше которой интегральное поглощение насыщается. Показано, что для твердых растворов при T=1.7-60 K домнирующим является неоднородное уширение экситонной линии флуктуирующим потенциалом, которое существенно превышает однородное уширение, обусловленное взаимодействием экситонов с фононами и заряженными примесями.

PACS: 71.35.-y, 71.35.Cc, 71.36.+c, 71.55.Eq

 PDF версия (369Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster