ФТП, 2006, том 40, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Бистабильность и электрическая активность
комплекса вакансия--два атома кислорода в кремнии

Л.И.Мурин\kern1pt, В.П.Маркевич, И.Ф.Медведева, L.Dobaczewski *

Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии,
220072 Минск, Белоруссия
* Institute of Physics, Polish Academy of Sciences,
02-668 Warsaw, Poland

(Получена 14 марта 2006 г. Принята к печати 24 марта 2006 г.)

Методами инфракрасного поглощения, эффекта Холла и нестационарной емкостной спектроскопии исследованы комплексы вакансия--два атома кислорода (VO2) в облученных кристаллах Si n-типа с различным уровнем легирования. Подтверждена обнаруженная ранее бистабильность VO2 и приведены доказательства электрической активности дефекта в метастабильной конфигурации VO2*. Установлено, что в данной конфигурации дефект обладает акцепторным уровнем, расположенным у EC-0.06 эВ. Показано, что полосы поглощения у 967 и 1023 см-1 обусловлены отрицательно заряженным состоянием VO2*, а полосы у 928 и 1004 см-1 соответствуют нейтральному зарядовому состоянию дефекта.

PACS: 61.80.Fe, 61.82.Fk, 71.55.Cc, 78.30.Am

 PDF версия (271Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster