ФТП, 2006, том 40, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спонтанное и стимулированное излучение из полупроводниковых пленок CdxHg1-xTe

А.А.Андронов, Ю.Н.Ноздрин, А.В.Окомельков\kern1pt, В.С.Варавин\kern1pt*, Р.Н.Смирнов\kern1pt*, Д.Г.Икусов\kern1pt*

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 28 февраля 2006 г. Принята к печати 14 марта 2006 г.)

Приведены экспериментальные данные по наблюдению спонтанного и стимулированного излучения из тонких эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe при оптической накачке с помощью лазера Nd:YAG. Предложена простая теоретическая модель для описания возникновения инверсии заселенности в этих условиях. Проводятся теоретические оценки параметров в условиях экспериментов.

PACS: 78.45.+h, 78.55.Et, 78.66.Hf

 PDF версия (216Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster