ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Высокоэффективные (49%) мощные фотоэлементы на основе антимонида галлия

В.П.Хвостиков, М.Г.Растегаева, О.А.Хвостикова, С.В.Сорокина, А.В.Малевская,
М.З.Шварц, А.Н.Андреев, Д.В.Давыдов, В.М.Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 21 февраля 2006 г. Принята к печати 3 марта 2006 г.)

Получены и исследованы высокоэффективные GaSb-фотоэлементы, предназначенные для преобразования мощного лазерного излучения и инфракрасного излучения эмиттеров, нагреваемых концентрированным солнечным излучением. Максимальный кпд преобразования излучения (lambda=1680 нм) полученных фотоэлементов составил 49% при плотности фототока 50-100 А/см2.

Исследованы пути снижения потерь на омических контактах к антимониду галлия p- и n-типа проводимости. Минимальные значения удельного сопротивления контактов (1-3)·10-6 Ом·см2 к p-GaSb с уровнем легирования 1020 см-3 были получены при использовании контактной системы Ti/Pt/Au. Для GaSb n-типа проводимости (2·1018 см-3) минимальные значения удельного контактного сопротивления составили 3·10-6 Ом·см2 при использовании контактных систем Au(Ge)/Ni/Au и Au/Ni/Au.

PACS: 84.60.Jt, 78.55.Cr, 42.79.Fk, 73.50.Pz, 72.80.Ey

 PDF версия (274Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster