ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Экспериментальное исследование температурной зависимости пороговых характеристик в полупроводниковых вертикально излучающих лазерах на основе субмонослойных
InGaAs-квантовых точек

С.А.Блохин , А.В.Сахаров, Н.А.Малеев, А.Г.Кузьменков, И.И.Новиков, Н.Ю.Гордеев,
Ю.М.Шерняков, М.В.Максимов, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, А.Р.Ковш *,
С.С.Михрин *, G.Lee x, J.Y.Chi x

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* NL-Nanosemiconductors GmbH,
44227 Dortmund, Germany
x Industrial Technology Research Institute, Chutung,
Hsinchu, 310, Taiwan, Republic of China

(Получена 6 февраля 2006 г. Принята к печати 17 февраля 2006 г.)

Экспериментально исследована температурная зависимость величины порогового тока для полупроводникового вертикально излучающего лазера на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек. Продемонстрировано, что для корректного описания температурных характеристик приборов следует использовать величину рассогласования между длиной волны генерации и максимумом спектра усиления (расстройку). Предложена форма описания температурной зависимости порогового тока вертикально излучающего лазера, учитывающая не только падение максимального усиления активной области с температурой, но и влияние температурной зависимости величины расстройки.

PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb, 73.21.La

 PDF версия (315Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster