ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3(As2Se3)0.7

И.И.Бурдиян, Э.А.Сенокосов, В.В.Косюк\kern1pt, Р.А.Пынзарь

Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко,
3300 Тирасполь, Молдова

(Получена 16 января 2006 г. Принята к печати 30 января 2006 г.)

Исследовалось влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства монолитных и пленочных образцов As2Se3 и (As2S3)0.3(As2Se3)0.7. Измерения относительной фотопроводимости на монолитных образцах и спектрального распределения фототока на пленочных образцах показали увеличение фотопроводимости веществ при их легировании Ho в концентрации 0.010-0.015 ат%. Из спектрального распределения фототока и оптического поглощения установлено, что с увеличением концентрации Ho до 0.015 ат % ширина запрещенной зоны монотонно уменьшается от 1.88 до 1.85 эВ для As2Se3 и от 2.05 до 2.00 эВ для (As2S3)0.3(As2Se3)0.7, а затем слабо возрастает до значений в исходных чистых материалах.

PACS: 72.40.+w, 73.50.Pz, 78.40.Pg

 PDF версия (166Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster