| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Сопоставление электрических свойств и фотолюминесценции в зависимости от состава слоев SiO, содержащих
нанокристаллы кремния
И.В.Антонова, М.Б.Гуляев, З.Ш.Яновицкая, В.А.Володин, Д.В.Марин,
М.Д.Ефремов, Y.Goldstein, J.Jedrzejewski
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
Racah Institute of Physics, Hebrew University, Satra, Givant Ram,
91904 Jerusalem, Israel
(Получена 13 февраля 2006 г. Принята к печати 27 февраля 2006 г.)
|
Проведено сравнение фотолюминесценции и электрических свойств слоя окисла кремния, содержащего нанокристаллы кремния. Окисел, содержащий нанокристаллы кремния, был создан сораспылением диоксида кремния и кремния с последующим отжигом для формирования нанокристаллов. Концентрация избыточного кремния в слое варьировалась вдоль образца в пределах от 6 до 74% по объему. Обнаружено, что величина заряда, определенная по напряжению плоских зон, имеет резко выраженный максимум при содержании избыточного кремния %, при этом максимальный заряд коррелирует с максимальной интенсивностью фотолюминесценции. Дальнейшее повышение содержания избыточного кремния в окисле приводит к уменьшению заряда в окисле, уменьшению интенсивности фотолюминесценции и возникновению перколяционной проводимости. PACS: 81.15.Cd, 78.67.Bf, 61.46.Bc, 73.63.Bd |
| PDF версия (618Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |