ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Температурная зависимость фотолюминесценции нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра--Блоджетт

Е.А.Багаев\kern1pt, К.С.Журавлев, Л.Л.Свешникова

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 30 января 2006 г. Принята к печати 9 февраля 2006 г.)

В диапазоне температур 5--300 K исследована фотолюминесценция нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра--Блоджетт. Спектр фотолюминесценции нанокристаллов при температуре 5 K состоит из двух полос с максимумами при 2.95 и 2.30 эВ. Температурная зависимость положения максимума высокоэнергетической полосы фотолюминесценции отличается от температурной зависимости ширины запрещенной зоны объемного CdS. Интегральная интенсивность фотолюминесценции данной полосы спадает при температурах от 5 до 75 K, увеличивается в диапазоне 150--230 K и уменьшается при температурах выше 230 K. Экспериментальные данные объяснены в рамках модели рекомбинации неравновесных носителей заряда в нанокластерах CdS с учетом транспорта носителей заряда в локально связанных нанокластерах различных размеров. В рамках модели получена оценка значения энергетической глубины ловушек для электронов, равного 120 мэВ, а также значений энергии активации безызлучательной рекомбинации, составляющих около 5 и 100 мэВ.

PACS: 73.20.Hb, 73.22.Df, 78.55.Et, 78.67. Bf, 78.55.Et, 81.05.Dz

 PDF версия (206Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster