ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Концентрационно-упругие неустойчивости распределения ионов и нейтральных частиц в изолирующем слое на поверхности полупроводника

Е.И.Гольдман\kern1pt

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141190 Фрязино, Россия

(Получена 10 октября 2005 г. Принята к печати 20 февраля 2006 г.)

В диэлектрических пленках, изолирующих полупроводник от металлического электрода, присутствуют подвижные примеси в виде ионов и нейтральных образований. При достаточно высоких температурах и поляризующих электрических полях примеси концентрируются у границы раздела изолятор-полупроводник, где обмениваются электронами с полупроводником. Показано, что парное взаимодействие частиц через поле упругих напряжений, связанных с концентрационным расширением изолятора, может приводить к неустойчивости однородного вдоль контакта распределения примеси. В растворе точечных дефектов возникает стационарное мелкомасштабное упорядочение частиц вдоль контакта изолятора с полупроводником, что сопровождается кольцевыми потоками частиц.

PACS: 68.55.Ln, 73.20.Hb, 73.40.Qv

 PDF версия (189Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster