ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизм протекания тока в сплавном омическом контакте In-GaN

Т.В.Бланк , Ю.А.Гольдберг, О.В.Константинов, В.Г.Никитин, Е.А.Поссе

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 1 февраля 2006 г. Принята к печати 17 февраля 2006 г.)

Представлено экспериментальное исследование сопротивления сплавного омического контакта In--GaN. Показано, что в интервале температур 180-320 K сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры, что характерно для металлического типа проводимости и не соответствует механизмам протекания тока согласно термоэлектронной, полевой или термополевой эмиссии. Предполагается, что омический контакт In--GaN образуется за счет появления проводящих шунтов в результате осаждения атомов индия на дислокациях. Определенное из зависимости сопротивления контакта от температуры количество шунтов на 1 см2 площади контактов (107-108) близко к измеренной плотности дислокаций в исходном материале (108 см-2).

PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns

 PDF версия (164Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster