ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Две серии полос \glqq дислокационной\grqq фотолюминесценции в кристаллах теллурида кадмия

Н.И.Тарбаев, Г.А.Шепельский

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
01650 Киев, Украина

(Получена 27 декабря 2005 г. Принята к печати 16 февраля 2006 г.)

Генерация дислокаций в кристаллах CdTe вызывает появление в спектрах излучательной рекомбинации новых линий --- \glqq дислокационной\grqq фотолюминесценции. Получены спектральное распределение \glqq дислокационных\grqq полос и профили пространственного распределения их интенсивности вблизи места индентирования на гранях (111) и (001). Из сопоставления профилей с кристаллографической структурой дислокаций идентифицированы типы дефектов, ответственных за две группы полос излучения. Первая группа (основной максимум при 841 нм) определяется электронными состояниями 60-градусных дислокаций с экстраполуплоскостями, обрамленными атомами теллура, --- Te(g)-дислокаций. Линии излучения другой группы (максимум при 806 нм) связаны с упорядоченными структурами точечных дефектов, которые генерируются ступеньками на винтовых сегментах дислокационных полупетель с головными Cd(g)-дислокациями.

PACS: 78.55.Et, 61.72.Lk, 61.72.Ji

 PDF версия (190Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster