ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади на основе InGaAs/InP

С.А.Малышев\kern1pt, А.Л.Чиж\kern1pt, Ю.Г.Василевский\kern1pt

Институт электроники Национальной академии наук Беларуси,
220090 Минск, Республика Беларусь

(Получена 27 января 2006 г. Принята к печати 30 января 2006 г.)

Разработана стационарная физико-топологическая модель p-i-n-фотодиода на основе двумерного дрейфово-диффузионного описания процессов переноса носителей заряда в многослойных гетероструктурах InxGa1-xAsyP1-y/InP с учетом функции распределения Ферми--Дирака для электронов и дырок, зависимости подвижности от концентрации легирующей примеси и напряженности электрического поля, а также термоэлектронной эмиссии и туннелирования носителей заряда на гетерограницах. Проведен анализ влияния конструктивных параметров на характеристики p-i-n-фотодиода большой площади и предложены пути расширения его динамического диапазона.

PACS: 73.40.Kp, 78.66.Fd, 85.30.De, 85.60.Dw

 PDF версия (219Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster