ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si с пространственно неоднородной толщиной диэлектрика

М.И.Векслер, С.Э.Тягинов, А.Ф.Шулекин\kern1pt, И.В.Грехов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 22 декабря 2005 г. Принята к печати 26 января 2006 г.)

Изучается влияние неоднородности распределения толщины диэлектрика на поведение туннельных МОП структур Al/SiO2/p-Si с толщиной диэлектрика 1--4 нм. Характер и степень этого влияния зависят от прикладываемого напряжения. При любых условиях наличие неоднородности толщины SiO2 увеличивает сквозные токи по сравнению с токами через однородный окисел той же номинальной толщины. Кроме того, в режиме инверсии изменяется потенциал инверсионного слоя. При расчетах учитываются туннельный перенос между зоной проводимости Si и металлом, между валентной зоной Si и металлом (в том числе в режиме инверсии --- резонансный транспорт, из-за неоднородности толщины он проявляется менее отчетливо), а также туннелирование зона--зона в полупроводнике.

PACS: 85.30.Mn, 73.40.Qv, 73.40.Gk

 PDF версия (472Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster