ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние стационарных процессов ионизации ловушек
вблизи середины запрещенной зоны на спектр термостимулированной емкости полупроводниковых приборов

С.В.Булярский, А.В.Жуков\kern1pt, О.С.Светухина, О.А.Трифонов

Ульяновский государственный университет,
432970 Ульяновск, Россия

(Получена 25 октября 2005 г. Принята к печати 20 января 2006 г.)

Предложен алгоритм расчета параметров глубоких центров в области пространственного заряда полупроводниковых приборов из анализа кривых термостимулированной емкости при наличии центров рекомбинации, лежащих у середины запрещенной зоны. Выполнена апробация метода на промышленных GaAs-светоизлучающих диодах АЛ-107. Результаты расчета параметров глубоких центров в исследуемых материалах соответствовали результатам других методов анализа.

PACS: 85.60.Jb; 72.20.Jv; 78.30.Fi

 PDF версия (133Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster