| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Лазерная генерация на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре в микродиске с квантовыми точками
Н.В.Крыжановская , С.А.Блохин, А.Г.Гладышев, Н.А.Малеев, А.Г.Кузьменков,
Е.М.Аракчеева, Е.М.Танклевская, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, Е.С.Семенова,
М.В.Максимов, Н.Н.Леденцов , В.М.Устинов, Э.Шток , Д.Бимберг
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat,
D-10623 Berlin, Germany
(Получена 29 декабря 2005 г. Принята к печати 16 января 2006 г.)
|
Исследованы температурные зависимости лазерных характеристик GaAs/(AlGaO-микродиска диаметром 6 мкм, изготовленного при помощи оптической литографии, сухого травления пучком ионов Ar и селективного окисления AlGaAs-слоя, формирующего основание микродиска. В качестве активной области микродиска использовались InAs/InGaAs-квантовые точки. Продемонстрирована лазерная генерация в области 1.3 мкм при комнатной температуре с пороговой мощностью оптической накачки 180 мкВт. Добротность мод микродиска составляет около . PACS: 42.55.Sa, 73.63.Kv, 78.67.Hc |
| PDF версия (343Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |