ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектрометрические свойства SiC-детекторов на основе ионно-легированных p+-n-переходов

Е.В.Калинина\kern1pt, В.Г.Коссов\kern1pt*, Н.Б.Строкан, А.М.Иванов, Р.Р.Яфаев\kern1pt*, Г.Ф.Холуянов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Электрон Оптроник,
194223 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 26 декабря 2005 г. Принята к печати 13 января 2006 г.)

Впервые представлены результаты исследований, выполненных в спектрометрическом режиме, детекторов ядерных излучений, изготовленных на основе p+-n-переходов, сформированных в пленках 4H-SiC. Переходы создавались ионным легированием алюминием эпитаксиальных слоев 4H-SiC толщиной 26 мкм, выращенных методом газофазной эпитаксии с концентрацией нескомпенсированных доноров (3-5)·1015 см-3. Характеристики детекторов определялись при тестировании alpha-частицами естественного распада с энергиями 3.35 и 5.4 МэВ. Эффективность собирания заряда, созданного alpha-частицами с энергией 3.35 МэВ, достигала 100%, при этом разрешение по энергии составляло =<sssim2%.

PACS: 85.30.De, 85.30.Kk, 72.70.+m, 29.40.Wk.

 PDF версия (197Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster