ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О роли поверхностной диффузии адатомов при формировании нанометровых нитевидных кристаллов

В.Г.Дубровский $*, Н.В.Сибирев v, Р.А.Сурис *, Г.Э.Цырлин $*v,
В.М.Устинов $*, M.Tchernycheva $$, J.C.Harmand $$

$ Научно-образовательный комплекс
\glqq Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр\grqq Российской академии наук,
195220 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический инстутит им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
v Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
$$ CNRS-LPN, Route de Nozay,
91460 Marcoussis, France

(Получена 24 января 2006 г. Принята к печати 26 января 2006 г.)

Построена теоретическая модель формирования нанометровых нитевидных кристаллов на поверхностях, активированных каплями катализатора роста, учитывающая диффузию адатомов с поверхности подложки на боковую поверхность кристаллов. Получено точное решение диффузионной задачи для потока адатомов с поверхности на нанометровые нитевидные кристаллы и проанализированы его частные случаи для малых и больших эффективных диффузионных длин адатома lambdas. Дано общее выражение для длины нитевидного кристалла L в зависимости от его радиуса R и условий роста, применимое для широкого класса ростовых технологий. Теоретические результаты сравниваются с экспериментальными зависимостями L(R) в области размеров R=20-250 нм для нитевидных кристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs (111) В, активированной Au. Показано, что зависимость L(R) ведет себя в некоторой области параметров как 1/R2ln(lambdas/R), что качественно отличается от классической диффузионной зависимости 1/R.

PACS: 68.65.La, 68.55.Ac, 68.55.Jk, 81.15.Kk, 81.15.Hi

 PDF версия (280Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster